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                  可以提高低壓力壓阻式壓力傳感器靈敏度的結構設計分析


                  發布日期:[2018-08-23]    作者:昊明壓力傳感器


                  本文提出了一種新型的微機電系統(MEMS)與14瓣膜聯合窄波束和一個中心的老板壓阻式壓力傳感器(pmnbcb)低壓測量。應力在壓敏電阻和膜變形引起的使用有限元法(FEM)的計算?;谇€擬合的方法確定了尺寸變量和力學性能之間的關系的功能,它可以提供一個傳感器的幾何優化方法。此外,方程中的值的變化來確定該膜的最佳尺寸。然后,為了進一步提高傳感器的靈敏度,一系列的矩形槽在壓敏電阻的位置了。該隔膜相比,現有的隔膜,并在相當大的增加靈敏度和非線性誤差的一個相當大的減少可以通過使用該傳感器實現。仿真結果表明,與pmnbcb結構傳感器獲得的高靈敏度為34.67 mV /千帕,0.23滿刻度量程低非線性誤差(FSS)為0–5 kPa壓力范圍。該傳感器結構是MEMS壓阻式壓力傳感器的合適選擇。

                  1 .一.導言

                  微型機電系統(MEMS)壓阻式壓力傳感器是目前在商業和工業應用中使用最廣泛的傳感器。這些傳感器比其他傳感器具有相當的優勢,如高靈敏度、低非線性誤差,成本低,效率高,體積小,可容易地制造。這些屬性對壓阻式壓力傳感器在各種應用中的使用是非常重要的,如生物醫學設備,微納操作,汽車,航天技術和機器人
                  壓阻式壓力傳感器的重要部件是壓敏電阻和隔膜。當壓力荷載的隔膜,產生應力。壓阻式壓力傳感器的操作基于壓阻效應,使壓敏電阻位于膈頂在最高位置的最大應力傳感器的靈敏度。壓力傳感器的設計中,和新的膜片結構優化選擇的主要因素是考慮到提高傳感器的線性度和靈敏度。大量的研究集中在這一階段進行了傳感器的發展。例如,一個矩形中心的老板被sandmaier正方形膜片和庫爾的研究。然而,這種傳感器的靈敏度低于17.5毫伏/帕。另一個傳感器與橫梁結構放置在膜由田等人介紹。實驗結果表明,非線性誤差是可以接受的在0.09%滿刻度量程(FSS),而靈敏度很低,在7.018毫伏/帕。結構組合梁島余等人介紹。具有相當高的靈敏度17.795μV / V / PA,但線性誤差為高,芯片還大。半島結構呈現半島在平板膜是由黃和張推薦。然而,18.4毫伏/帕該傳感器的靈敏度很低為5 kPa的壓力測量。結合控制的膜片結構的靈敏度為0.066 mV / V / 0.33% Pa,FSS的非線性是由徐等人設計的半島島;然而,光圈大小為3500×3500μM2。此外,一束膜雙島結構是由孟和趙開發的,該傳感器具有靈敏度17.339μV / V / PA和2.559% FSS非線性;然而,傳感器的尺寸為7000×7000μM2。近日,由官等人提出一個飛鏢結構膜片壓力傳感器。和顯示的靈敏度為23.6 mV / kPa和非線性0.18 %的FSS [十八]。在最近的出版物中,Tran等人。提出了一種新穎的傳感器芯片結構相結合的基礎上的橫梁,一個膜和半島使膜更難,提高傳感器的靈敏度。靈敏度為25.7 mV/kPa為0–5 kPa范圍內測量[十九]。Li et al.。介紹了微型壓力傳感器,結合14槽膜結合桿測量低壓力和高的靈敏度為30.9 mV / V / PSI,0.21%的非線性FSS和3600×3600大芯片尺寸μM2。玉和黃報道的硅膜,部分被蝕刻成十字梁上的應力集中和沉積的鋁層作為梁的一部分。得到的靈敏度為0.328 mV /千帕,但膜的尺寸是900×900μM2。雖然許多隔膜結構已經在最近的研究中建議,非線性和靈敏度仍然是重要的壓力傳感器的設計。因此,基于技術的方法來提高傳感器的性能的一種新結構的選擇具有相當大的關注。
                  在本文中,一種新的結合14瓣膜壓阻式壓力傳感器的膜片結構,四窄光束中心的老板(pmnbcb)低壓范圍(見圖1)提出了。有限元法(FEM)是用來估計的應力分布,分析不同參數的內在結構的撓度。COMSOL Multiphysics軟件用于計算。建立了結構和幾何優化的配方。然后,進一步提高傳感器的靈敏度,一系列的矩形槽在壓敏電阻的位置了。最后,為了驗證所提出的方法是最佳的,推薦的傳感器比其他類型的傳感器。
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                  圖1該傳感器的三維結構

                  2。工作原理與方法

                  圖2一個說明了壓阻式壓力傳感器的工作原理。膜的目的是施加的壓力下的變形,可采用微加工技術制造的。壓敏電阻器的半導體技術制造。當施加壓力時,傳感器的膜會變形,導致壓敏電阻的彎曲應力,這轉化為波動的阻力由于壓阻效應?;菟沟请姌蛴晒鑹鹤鑲鞲衅鞯膽兓蛭灰茰y量。當電橋提供輸入電壓,在電阻的變化將導致基于輸出電壓測量輸出電壓的變化。
                  Sensors 18 02023 g002 550
                  圖2(一)的壓阻式壓力傳感器的工作原理;(B)四瓣膜聯合窄波束和一個中心的老板(pmnbcb)膜和惠斯通電橋
                  該傳感器的膜顯示圖2B,其中的四個壓敏電阻組成的惠斯登電橋,特別是兩縱向壓敏電阻(R1和R3)和橫向(壓敏電阻R2和R4),在上面。在這項研究中,電阻器在p型硅在長軸方向,制作(110)和隔膜是在n型硅設計。當節點1和4連接到一個已知的輸入電壓Vin,輸出電壓Vout節點2和3之間出現。輸出電壓的值取決于電阻的比值R1:R2和R3:R4。當膜片受到壓力載荷,下面講的經歷:壓敏電阻的平均縱向應力R1和R3是σx1,和平均橫向應力σy1平均縱向應力;R2和R4是σx2,和平均橫向應力σy2。壓敏電阻器的電阻將根據[這些應力變化:
                  ΔR1/R1=ΔR3/R3=(π44/2)(σx1?σy1)ΔR2/R2=ΔR4/R4=(π44/2)(σx2?σy2)
                  (1)
                  哪里π44與p型硅壓阻系數。之間的關系Vout和Vin可以作為
                  Vout=Vin(ΔR1/R1)?(ΔR2/R2)2+(ΔR1/R1)+(ΔR2/R2)
                  (2)
                  代入方程(一在方程()二),我們寫的:
                  Vout=VinΔσxy1?σxy2(4/π44)+σxy1+σxy2
                  (3)
                  哪里Δσxy1和Δσxy2表示縱向和橫向應力的應力之間的差異,分別為(Δσxy1=σx1?σy1和Δσxy2=σx2?σy2)。此外,壓阻系數是一個摻雜濃度和溫度的函數的p型硅π44(N,T),隨著摻雜濃度N在溫度T,表示如下:
                  π44(N,T)=π44(N0,300K)P(N,T)
                  (4)
                  哪里π44(N0,300K)在室溫下的壓阻系數。在這項研究中,所有的設計都是在室溫條件下考慮(25°C),和離子注入濃度為3×10?18厘米?3。因此,π44(N0,300K)可設置138.1×10?11PA?1壓阻系數,and theP(N,T)設置一個。如方程(三),傳感器的輸出取決于不同的應力,所以Δσxy可作為傳感器的機械結構設計的關鍵參數。
                  此外,靈敏度是衡量該壓力傳感器性能的重要參數,確定為:
                  S=[Vout(pm)?Vout(p1)](pm?p1)=VFS(pm?p1)
                  (五)
                  哪里pm和p1的最大和最小負荷壓力,分別;Vout(pm)和Vout(p1)是測量輸出電壓pm和p1,和分別;VFS=Vout(pm)?Vout(p1)是滿量程輸出。估計該傳感器的非線性誤差(NLi)也用。這是根據:
                  NLi=100%×[Vout(pi)?Vout(pmax)pmax(pi)]/Vout(pmax)
                  (6)
                  哪里NLi是的非線性誤差pi在測試點的壓力Vout(pmax)是全面的跨度(FSS)在壓力最大輸入電壓pmax。因此,非線性可以為正或負取決于校準點。計算得到的最大值稱為傳感器的非線性誤差,通常是在FSS了%。

                  3。傳感器的設計

                  3.1。配置設計

                  膜片設計的壓力傳感器的研制各階段中最重要的一步。首先,我們考慮一個傳統的方形膜片圖3答:如圖所示,隔膜固定在所有的邊緣;壓力荷載施加到膜片的頂面;和傳感元件是一個扁平的膜。為了提高靈敏度和線性,對平板膜設計領域分為兩層。底層是固定的,與上層是可變的。隔膜的新結構是建立在固定層和變量層去除一些材料。
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                  圖三對壓阻式壓力傳感器的設計問題:(一傳統的平膜片;()B新設計的隔膜)
                  設計了結構,傳統的平面方形膜片的研究案例1。然后,基于四窄光束在中心前廣場的老板估計為2相結合的新的傳感器結構。其次,廣場膜是由四瓣膜為例3更換。在過去的設計案例,在中心的老板加入了傳感器芯片的空腔中圖3這些隔板設計具有相同的主要尺寸:傳感器的膜的特征尺寸為2900×2900μ膜的寬度為16 m,μm為膜的厚度,160μm為波束寬度10μ我對梁的厚度;半島的寬度和長度是500μM;和中心的老板寬度為600μ·這項工作的主要目的是分析案例四設計實現基于小撓度理論條件下的最大偏轉靈敏度的膜定位(膜的最大位移量應小于膜的厚度1/5)。在所有的分析中,壓力從5 kPa 0–變化。
                  膜片的設計案例,隨著中心撓度和中心撓度率(膜的厚度相比),給出了圖4和表1不同的結構,即1–4例。結果表明,在1例–3產量比0–5 kPa范圍案例4結構更高的偏轉靈敏度的結構。最大縱向應力和橫向力還表現在表2。結果表明,案例3和案例4結構具有更高的應力比的情況下,1和2的結構。力最大病例3和4是相等的。然而,比較兩者的撓度和應力顯示,得到更好的性能比的情況下的情況下。這些結果表明,案例的結構是理想的低壓測量應用微壓傳感器。
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                  圖4模擬膈肌中心撓度在5kPa。
                  表1壓力與四設計案例中心撓度。
                  Table
                  表2最大縱向應力和橫向應力的比較。
                  Table

                  3.2。數學建模

                  機械應力的理論計算公式,為pmnbcb結構的最大撓度是很難獲得的。在這項研究中,結合有限元計算和曲線擬合的方法來確定這些方程的近似。最大撓度和典型傳統的C型結構的機械應力顯示的是該結構的基礎上。對于一個固定邊矩形光闌,產生壓力,膜片的位移P可以通過求解微分方程得到的隔膜。膜片的最大位移在膜的中心并表示為[二十五]:
                  wmax=[12(1?υ2)47E](L2)4D?3p=K1L4D?3E?1p
                  (七)
                  哪里K1是一個系數,υ是泊松比,E是Young的模,l是膜的寬度和D是膜的高度。最大應力發生在膜邊緣的中心,并強調了:
                  {σx=1.02(L2)2h?2p=K2a2h?2pσy=υσx
                  (8)
                  哪里K2也是一個系數
                  從方程(七)和(八),它是觀察到的普通C型膜片的最大撓度和應力的結構參數的冪函數。該隔膜的功能形式可以同樣近似冪函數結構各維度所給出的條件:
                  w=K1?Ln1?Dn2?Hn3?Wn4?Bn5?Tn6?Pn7?an8?bn9?cm10?pn11?En12
                  (9)
                  σ=K2?Lm1?Dm2?Hm3?Wm4?Bm5?Tm6?Pm7?am8?bm9?cm10?pm11
                  (10)
                  哪里σ和w是縱向最大應力和最大撓度,分別;L,D,H,W,B,T,P,a,b和C的結構尺寸,如圖所示圖5;Ki,nj和mj(i=1,2和j=1,2,…,11待定系數);P是操作壓力;和E是楊氏模量。根據方程系數的計算(九)和(十),每個變量進行分析,而另一些人認為是恒定的。例如,當膜長度的影響l研究的價值l在實際的范圍內變化,和其他變量被假定為是恒定的和任意的。證明圖6、撓度和應力增加時,膜的長度增加。作為一個結果,方程(九)和(十)可改寫為:
                  w(L)=K1L?Ln1
                  (十一)
                  σ(L)=K2L?Lm1
                  (12)
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                  圖5(一等距視圖和()B)的pmnbcb結構后視圖。
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                  圖6(一)應力與膜長度之間的關系;(B)偏轉和膜長度之間的關系
                  在膜的長度變化,一系列W和σ利用有限元模擬得到的值?;谶@些結果,近似冪函數σ和W可以從使用MATLAB曲線擬合?軟件膜的長度之間的關系l和結構的性能提供了方程(十三)和(十四)
                  w(L)=2×10?16?L4.55
                  (13)
                  σ(L)=6×10?9?L2.8
                  (14)
                  確定合適的仿真結果和這些方程之間的善良,撓度和殘余應力的曲線也顯示在圖6。殘差曲線定義為實際數據和擬合的響應數據在每個預測值之間的差異。為了達到最佳的擬合優度,系數計算(R2)和殘差平方和(RSS)提出了。計算結果表明:R2w方程(十三)和R2σ方程(十四)等于內分別和0.9993.。這個RSSw和RSSσ等于0.3057和1.1541,分別。這些結果表明,擬合方程和曲線匹配的仿真結果。
                  同樣,功能關系可以證明其他變量。在獲得所有的關系方程,這些功能組合方程(九)和(十)生成公式的pmnbcb結構如下:
                  w=K1?L4.55?D?0.392?H?0.831?W?0.363?B?0.041?T0.071?P0.0428?a?0.402?b0.0084?c0.0521?p?E?1
                  (15)
                  σ=K2?L2.8?D?0.525?H?0.393?W?0.549?B0.0508?T0.0669?P?0.015?a?0.107?b0.0073?c0.0929?p
                  (16)
                  我們假設方程中的參數(十五)和(十六)是l= 2900,D= 20,W= 180,H= 14,R= 500,T= 500,P= 100,B= 500,一= 600,B= 200,C= 100,P= 5 kPa andE= 160 GPa. According to the simulation results, the maximum deflection is 2.38μm,與最大應力為40 MPa。因此,系數K1和K2可以將這些值后進入方程確定(十五)和(十六)。最后,應力和撓度方程,具體到pmnbcb結構可以如下:
                  w=1.728×10?5?L4.55?D?0.392?H?0.831?W?0.363?B?0.041?T0.071?P0.0428?a?0.402?b0.0084?c0.0521?p?E?1
                  (17)
                  σ=2.465×10?10?L2.8?D?0.525?H?0.393?W?0.549?B0.0508?T0.0669?P?0.015?a?0.107?b0.0073?c0.0929?p
                  (18)
                  我們注意到,傳感器的靈敏度取決于應力。因此,方程(十七)和(十八)表明膜偏轉靈敏度大多依賴于膜寬度l,膜厚度D,橫梁的高度H與橫梁的寬度W。半島的維度對膜偏轉靈敏度比這些參數的影響較弱。另一方面,中央凸臺寬度一對膜的最大撓度的影響顯著。此外,作為四瓣膜半徑C的增加,應力和變形量的增加,這也意味著可以提高靈敏度和線性誤差也增大。

                  3.3。幾何優化

                  確定了pmnbcb最優結構的幾何參數,我們還研究了各參數對力學性能的影響。在這一部分中,每對幾何參數的檢查,同時保持其他常數。例如,對于優化H和D,價值觀H和D改變,和其他變量被假定為常數。這項工作的主要目的是通過改變這些尺寸為了在小撓度理論的條件下實現最大的偏轉靈敏度分析的結構的尺寸值。該傳感器受到的壓力范圍為0–5kPa的上面要放置壓敏電阻器。所提出的結構尺寸的優化,隨著膜的厚度、梁的高度、中心撓度和中心撓度的百分比,顯示在表3不同的尺寸H和D,即C1,C2,C3,C4,C5,C6,和。
                  表3壓力與中心撓度為隔膜D和H
                  Table
                  價值觀H和D的變化實現了隔膜的膜厚度小于1/5中心撓度。荷載-撓度分析表明,隔膜的C1,C2和C3收率超過20%的偏轉,而C4、C5和C6滿足小于允許偏差20%。因此,C4、C5和C6滿足設計條件。這也表明,膜厚度D16和17之間變化μ我和梁的高度H從12–13不同μm,屈服了隔膜尺寸2900小撓度μm×2900μM.
                  同樣,波束寬度的優化W和中心的老板寬度B進行了。在這種情況下,該膜片與固定膜厚度與16和12波束寬度窄了μm,分別。結構分析在壓力為5 kPa的結構不同,偏轉靈敏度即M1,M2,M3,M4,M5和M6,所表4。結果表明,在偏轉減少時,梁中心老板的寬度增加。最大撓度增大到23.94%。由于受條件限制,最大撓度的分析范圍內的膜厚度的20%。M3、M4、M5、M6的結構滿足小于20%的要求允許偏差。另一方面,M1和M2的結構顯示大于20 %的偏轉。這也可以看出,波束寬度是160和170之間變化μ我和老板的中心寬度從60變μ我–70μ·基于微加工方法和壓敏電阻的設計方案,梁的寬度和中心老板寬度的最終值是170μm和60μm,分別
                  表4壓力與中心撓度為隔膜W和B
                  Table
                  以同樣的方式,優化可以進行其他變量。在所有的獲得尺寸,確定了pmnbcb結構尺寸參數。該膜片結構的整體尺寸進行了總結表5
                  表5該傳感器的優化尺寸
                  Table

                  3.4。增強的靈敏度

                  我們的方法的主要概念是提高壓敏電阻的位置應力。這個目標是通過一個應力集中區產生了(SCR)的孔和槽的應力增加。這種方法非常適合于增加的MEMS壓阻傳感器的靈敏度而不需要額外的復雜設備的使用。在這項研究中,我們的目標是找到提高該傳感器的靈敏度的可控硅。因此,一些交流矩形槽制成的壓敏電阻器。該SCR設計的幾何構型所示圖7。槽的長度和寬度是12μm和67μm,分別(如電阻的尺寸相同)。槽的深度為窄波束的高度相同,等于12μM模型1定義了該傳感器的矩形槽。在模型2中,矩形槽位于兩縱向位置(壓敏電阻R1和R3)。在模型3中,矩形槽在兩縱向壓敏電阻的位置生成(R1和R3)和橫向兩壓敏電阻(R2和R4)。模型4定義的情況下,矩形槽插入到兩橫向電阻位置(R2和R4)
                  Sensors 18 02023 g007 550
                  圖7應力集中區域的設計(SCR)。模型1:R1,3和R2,4沒有矩形槽;模型2:R1,3矩形槽和R2,4沒有矩形槽;模型3:R1,3和R2,4矩形槽;模型:R1,3矩形槽和無R2,4矩形槽
                  圖8介紹了差應力分布引起的4設計模型的壓敏電阻時受到在頂膜5千帕的壓力加載的數值結果。很明顯,平均差應力在兩縱向電阻的電阻位置的矩形槽插入明顯增加。然而,平均差應力迅速下降,當槽在兩橫向電阻的位置了。表6也說明了模型設計的傳感器的靈敏度值。有趣的是,模型2具有更高的靈敏度。當一個矩形槽插入到電阻的位置R1,3,傳感器的靈敏度的增加迅速17.76%。此外,當矩形槽在四電阻的位置創建的,由22.4%個傳感器的靈敏度降低。類似的結果在槽是在電阻的位置創建R2,4。因此,模型2是提高壓阻式壓力傳感器的靈敏度的最佳選擇。
                  Sensors 18 02023 g008 550
                  圖8壓力5 kPa荷載下的傳感器設計的壓敏電阻的差應力分布。
                  表6四設計例差應力和敏感性的比較。
                  Table

                  3.5。其他傳感器的結構比較

                  pmnbcb結構優化提出(見圖9一)相比,煤層結構,半島結構,4梁結構CBMP結構和 bmqi結構。這些膜具有相等的尺寸設計。例如,傳感器膜尺寸2900μm×2900μ膜的寬度為16 m,μm的膜厚、170μ光束寬度12 mμm厚的梁圖9B–D表明了這些傳感器的計算性能的0–5 kPa,5 V直流輸入電壓的負載壓力下。
                  Sensors 18 02023 g009 550
                  圖9(一–D)其他結構膜的比較
                  分析的結果檢驗表明,該傳感器的結構提供了在靈敏度方面最好的傳感器性能、變形和非線性誤差。比較兩個高靈敏度傳感器,即半島中心膜,此傳感器具有靈敏度提高了近26%和最大撓度約35%和11%下降,分別。此外,該傳感器的非線性誤差大約只有0.28% FSS。這些結果表明,pmnbcb結構產生更高的靈敏度比半島中心膜和膜。在一個方形膜與四瓣膜和下老板增加膜的中心更換,大大提高了傳感器的偏移和靈敏度。相比于bmqi傳感器,該傳感器顯示膜偏轉量相同;然而,對bmqi敏感性較低(24.91毫伏/千帕)的靈敏度(34.67 mV / kPa)所提出的傳感器。分析還發現,相比于pmnbcb傳感器,煤層氣傳感器靈敏度低、高的非線性誤差和大位移。最后,分析表明,特殊的四束膜有一個非常大的位移可達5.3μM 5 kPa時施加的壓力下,同時提出了膜的撓度僅為3.2μ另外,對bmqi靈敏度不高,在24.91毫伏/千帕,和非線性誤差高達0.8%的FSS。
                  壓阻式壓力傳感器的設計過程中,在膜的結構和尺寸的改變可導致靈敏度的增益和力學非線性增加。該pmnbcb結構已經克服了這一缺陷,提高靈敏度和線性度。首先,四窄梁與平板膜的應力明顯增加的電阻的位置,同時也降低了變形中央島的組合。因此,傳感器的靈敏度提高,其非線性誤差減小。然后,廣場膜轉換成14瓣膜,使靈敏度和非線性誤差。為了克服這種情況,中央的老板是在膜的底部添加。最后,一些交流矩形槽制成的壓敏電阻,從而提高傳感器的靈敏度。這些結果清楚地表明,pmnbcb結構確實是一個高性能的結構,適合應用于MEMS微型壓力傳感器。

                  4.。制作工藝

                  體微加工技術來制造該傳感器芯片從一個標準的400μ(100)厚的n型硅晶片。應用光刻,六面具是用來形成金屬層和傳感元件。硼注入用于模式型壓敏電阻器。制造過程中的主要步驟進行圖10。(1)在第一步中,熱氧化法是應用于生產硅薄膜2在硅片的兩面。這些氧化物層是用來分離金屬與硅襯底圖10答:(2)熱氧化過程后,光刻和硼離子注入進行。因此,壓敏電阻的p型重摻雜接觸區域排列并形成在硅晶片的正面(圖10B)。(3)隨后,低壓化學汽相淀積(LPCVD)采用硅鈍化層的生長3N4壓敏電阻(to protect the圖10C)。(四)然后,二氧化硅薄膜2再次通過LPCVD沉積過程作為電氣絕緣(圖10D)。(五)之后,反應離子刻蝕(RIE)過程中使用。薄鋁層沉積和圖案上的傳感器芯片上制造壓敏電阻和電橋線路之間的電氣連接領域(圖10E)。(六)在下一步,KOH濕蝕刻工藝在硅片背面形成一個很深的洞(圖10f)。(七)獲得pmnbcb結構和SCR,RIE過程應用了產生四瓣膜,在硅片正面窄梁和矩形槽(圖10g)。(8)在最后一步中,傳感器芯片的底部由陽極鍵合過程附加7740(高硼硅玻璃圖10h)
                  Sensors 18 02023 g010 550
                  圖10(一–H)所提出的傳感器芯片的主要制造工藝。

                  5 .2 .結論

                  在這項工作中,優化的線性度和靈敏度,提出了一種新的硅壓阻式壓力傳感器pmnbcb結構。有限元模擬被用來預測在壓敏電阻由于膜在不同壓力下的應力變形?;谇€擬合的方法,確定了尺寸變量和力學性能之間的關系的方程,為用pmnbcb傳感器結構設計指導。這些方程不同的允許值所提出的結構的最優幾何待定。然后,為了進一步提高傳感器的靈敏度,一系列的矩形槽在電阻器的位置了。因此,傳感器的靈敏度顯著增加。為了說明該傳感器的優化,傳感器是基于分析和比較與研究中心、CBM、半島的評價,bmqi四梁結構。計算結果表明,該結構不僅提高了傳感器的靈敏度,而且降低了非線性誤差。最后,提出了基于微加工和陽極鍵合技術的傳感器芯片的主要制造工藝。這些結果表明,pmnbcb結構適合應用于MEMS壓阻式壓力傳感器。

                   



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